(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 8.4(22)申请日 2019.03.21(71)申请人 武汉工程大学地址 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷一路206号(72)发明人 曹宏薛俊竺昌海汪晗安子博徐慢(74)专利代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212代理人 杨立姜展志(51)Int.Cl.C04B 41/87 (2006.01)B01D 46/54 (2006.01) (54)发明名称一种碳化硅陶瓷膜及其制备方法和用途(57)摘要本发明涉及一种碳化硅陶瓷膜及其制备方法和用途，所述碳化硅陶瓷膜包括支撑体和均匀附着在...
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 8.4(22)申请日 2019.03.21(71)申请人 武汉工程大学地址 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷一路206号(72)发明人 曹宏薛俊竺昌海汪晗安子博徐慢(74)专利代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212代理人 杨立姜展志(51)Int.Cl.C04B 41/87 (2006.01)B01D 46/54 (2006.01) (54)发明名称一种碳化硅陶瓷膜及其制备方法和用途(57)摘要本发明涉及一种碳化硅陶瓷膜及其制备方法和用途，所述碳化硅陶瓷膜包括支撑体和均匀附着在所述支撑体上的纯质碳化硅膜层，所述膜层由相互连接的碳化硅纤维构成，所述膜层具有微孔结构。碳化硅陶瓷膜的制备方法包括如下步骤：在碳化硅支撑体表面涂敷分散液A并干燥得到预制膜，分散液A中包含碳纤维、聚碳硅烷以及用于分散碳纤维并溶解聚碳硅烷的溶剂；在预制膜表面涂敷一氧化硅分散液并干燥得到反应膜；将反应膜在真空条件下煅烧得到多孔陶瓷膜初品；对陶瓷膜初品进行酸或碱处理后，在空气或氧气气氛下焙烧，采用本发明的方法可在支撑体表面合成孔径可控的多孔膜层，且膜层纯度高、膜层与支撑体结合牢固，所用原料易得、价格低、工艺简单，有利于工业化生产。权利要求书1页 说明书9页 附图1页CN 109824381 A2019.05.31CN 109824381 A
